Транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые играют невероятно важную роль в современной технике. Сегодня советские транзисторы — кратко считаются раритетом и достаточно дорогими предметами для коллекционеров и энтузиастов аудиотехники. Их качество и надежность до сих пор восхищают специалистов по электронике. В свое время транзисторы СССР простыми словами были одними из лучших в мире.
Такие полупроводниковые приборы можно разделить на несколько основных типов, в зависимости от их структуры и принципа работы. Один из наиболее распространенных типов приборов — биполярные. Они состоят из трех слоев полупроводникового материала: эмиттера, базы и коллектора. Биполярные приборы могут быть n-p-n или p-n-p в зависимости от типа переходов между слоями.
Еще одним типом таких приборов являются полевые полупроводниковые приборы. Они имеют другую структуру, чем биполярные устройства, и работают на принципе управления электрическим полем в полупроводниковом материале. Полевые изделия бывают двух типов: усилительные (MOSFET) и управляющие (JFET).
Советские транзисторы были основным элементом электрических устройств в период с 1940 по 1970 годы. Они значительно улучшили качество и надежность радиоаппаратуры, телевизоров, магнитофонов и другой аппаратуры. Полупроводниковые приборы производились на различных комбинатах и заводах по всему СССР. Они были надежными, долговечными и имели отличные характеристики.
Транзисторы СССР были доступны практически каждому, что позволило советским гражданам осваивать новые технологии и разрабатывать свои собственные устройства. Несмотря на то, что их эпоха уже давно ушла в прошлое, их наследие все еще живет. Наравне с интернет, многие люди продолжают использовать старые советские приборы, и советские изделия продолжают служить им верой и правдой.
Советские транзисторы 2П103В(Д)
Стоимость — 80 руб.
Кремниевый диффузионно-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Масса не более 1,0 г.
Имеется 25 шт. (2П103В), 18 шт.(2П103Д)
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор КТ203А
Стоимость — 30 руб.
Полупроводниковый прибор КТ203А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Изделия КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ203Г предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Имеется 13 шт.
Состояние – новый |
Советские транзисторы 2Т301Д
Стоимость — 30 руб.
Кремниевый планарной структуры n-p-n универсальный.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Имеется 11 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор 2П303Б
Стоимость — 80 руб.
Кремниевый эпитаксиально-планарнйе полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначен для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты
Имеется 20 шт.
Состояние – новый |
Советские транзисторы П307В
Стоимость — 15 руб.
Кремниевый планарный n-p-n переключательный низкочастотный маломощный.
Предназначен для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения
Имеется 45 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор 1Т308В
Стоимость — 15 руб.
Изделия маломощные германиевые высокочастотные структуры P-N-P. Выполнены в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Имеется 28 шт.
Состояние – новый |
Изделия П309
Стоимость — 15 руб.
Полупроводниковый прибор p-n-p структуры
Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 0.25 W.
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база: 120 V.
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 3 V.
Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.12 A – 15 руб.
Имеется 36 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор КТ3117А
Стоимость — 70 руб.
Изделия кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Имеется 18 шт.
Состояние – новый |
Советские транзисторы 2Т312Б
Стоимость — 30 руб.
Полупроводниковые приборы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Имеется 11 шт.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор 1Т313Б
Стоимость — 15 руб.
Изделия 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах
Имеется 53 шт.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы 1Т321Е
Стоимость — 15 руб.
Изделия германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Постоянное напряжение Uкб 40 Импульсный ток 2А
Имеется 33 шт.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор 2Т326Б
Стоимость — 70 руб.
Изделия кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах
Имеется 15 шт.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы ГТ328А
Стоимость — 70 руб.
Полупроводниковый прибор биполярный германиевый p-n-p структуры, 15 В, 10 мА, 50 мВт. Для каскадов автоматической регулировки усиления устройств метрового диапазона
Имеется 16 шт.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор КТ399А
Стоимость — 80 руб.
Изделие n-p-n структуры
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20(40) мА
Имеется 22 шт.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы 1Т403Е(Ж)
Стоимость — 15 руб.
Изделие 1Т403Е(Ж)германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения
Имеется 19 шт. (1Т403Е), 24 (1Т403Ж)
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор КТ602Б
Стоимость — 300 руб.
Полупроводниковый прибор кремниевый планарный, среднечастотный транзистор n-p-n структуры. Применяется в усилителях и генераторах сигналов. Выпускается в металлическом корпусе с гибкими выводами
Имеется 34 шт.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы 2Т604Б
Стоимость — 300 руб.
Кремниевый средней мощности, универсальный, структуры — n-p-n, в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами
Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max ) — 0,8 Вт без радиатора, 3 Вт с радиатором.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — 250 В.
Максимальное напряжение коллектор-база — 300 В.
Имеется 7 шт. + 5 шт. б/у – 100 р. Содержание драгметаллов: золото — 0.0365 г.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор 2Т606А
Стоимость — 50 руб.
Структура изделия: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока для схемы с общим эмиттером: не менее 350 МГц
Содержание драгметаллов: золото — 0,0279 г.
Имеется: 9 шт. + КТ606А б/у — 6 шт. (30 р.)
Состояние товара: новый |
Советские трандисторы 2Т608А
Стоимость — 350 руб.
Структура n-p-n,
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э. (Uкбо макс), В 60,
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200,
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0.5.
Имеется 14 шт. Содержание драгметаллов: золото — 0,0279 г.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор 2Т632А
Стоимость — 50 руб.
Изделия кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения
Имеется 34 шт.
Состояние – новый |
Советские транзисторы КТ801А
Стоимость — 15 руб.
Полупроводниковый прибор средней мощности среднечастотный структуры N-P-N. Выполнен в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Предназначен для работы в ключевых схемах, генераторах строчной и кадровой развертки, блоках питания
Имеется 18 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор 2Т904А
Стоимость — 500 руб.
Структура транзистора: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм)
Имеется 7 шт. Содержание драгметаллов: золото — 0.0446 г, серебро — 0.0871 г.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы 2Т913Б (вертолет)
Стоимость — 250 руб.
Структура изделия: n-p-n
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 900 МГц
Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В
Имеется 2 шт. Содержание драгметаллов: золото — 0,034 г, серебро — 0,012 г.
Состояние – новый |
Полупроводниковый прибор 2Т926А
Стоимость — 200 руб.
Полупроводниковый прибор кремниевый мезапланарный импульсный — электронный аналог реле
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером, более, МГц – 50
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, В – 150
Имеется 9 шт. Содержание драгметаллов: золото — 0,0935 г, серебро — 0,2772 г
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор 2Т935А
Стоимость — 200 руб.
Кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательные.
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 51МГц;
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Вывод эмиттера маркируется точкой. Содержание драгметаллов: золото — 0,0170507 г, серебро — 0,1967645 г.
Имеется: 26 шт. (90 г.), 37 шт. (92 г.)
Состояние – новый |
Советские транзисторы П701А
Стоимость — 50 руб.
Изделия (10 шт.) кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Имеется 16 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковые приборы П214, П216Б, П217
Стоимость — 15 руб.
Изделия (75 шт.) германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Состояние – новый |
Советские транзисторы П416Б (СССР)
Стоимость — 20 руб.
Изделия П416Б германиевые сплавные p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне от длинных до коротких и ультракоротких волн, а также в импульсных каскадах радиоэлектронных устройств.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Имеется 50 шт. (в упаковке) и 30 шт. россыпью.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковый прибор МП13 (в светлом корпусе)
Стоимость — 15 руб.
Изделия германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
МП10, Б – 4(31) шт.; МП11, А – 4(29) шт.; МП13 – 36 шт.; МП14А, Б – 4(39) шт.; МП15, А – 3(14) шт.; МП16 А — 18 шт.;
МП21, А -16(8) шт.; МП26Б – 24 (б/у) шт.; МП101, А – 1(3) шт.; МП103 – 3 шт.; МП104 – 8 шт.; МП106 – 8 шт.;
МП114 — 12 шт.; МП115 – 19 шт.
Состояние товара: новый |
Советские транзисторы МП16Б (СССР – 85 г.)
Стоимость — 15 руб.
Изделия германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Имеется 17 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковые приборы малой мощности (разные)
Стоимость — 15 руб.
МП10, Б – 7(31) шт.; МП11, А – 4(29) шт.; МП13, Б – 36(15) шт.; МП14А, Б – 4(39) шт.; МП15, А – 3(14) шт.;
МП16, А -3(18) шт.; МП21 А -18(8) шт.; МП25 -1 шт.; МП26Ю А – 3(2) шт.; МП26Б – 24 (б/у) шт.; МП101, А – 1(3) шт.;
МП103 – 3 шт.; МП104 – 8 шт.; МП105 – 4 шт.; МП106 – 8 шт.; МП114 -12 шт.; МП115 – 19 шт.; Мп116 — 15 шт
Состояние – новый |
Фоторезистор ФСК-2Н (СССР – 85 г.)
Стоимость — 15 руб.
Фоторезисторы предназначены для применения в качестве приемников и датчиков оптического излучения в составе оптико-электронной аппаратуры, систем фотоэлектрической автоматики и телемеханики, счетно-измерительных и экспонометрических приборов.
Могут использоваться в цепях постоянного, переменного и импульсного токов.
Выпускаются в пластмассовом корпусе. Имеется 20 шт.
Состояние товара: новый |
Полупроводниковые приборы играют важную роль в современной электронике, они используются в усилителях, микросхемах, компьютерах, телевизорах, радиоприемниках и многих других устройствах. Благодаря своей маленькой массе и компактным размерам, изделия позволяют создавать всё более компактные и мощные устройства. Советские транзисторы, в отличие от современных, при изготовлении использовали большое количество драгметаллов.
Существующие в то время устаревшие производственные технологии не способны были в значительной степени экономить драгоценное сырье. Так, например, наиболее ценными считаются полупроводниковык приборы СССР в желтом металлическом корпусе. В своем большинстве они имеют позолоченный корпус и выводы, обладая высокой ценностью даже в пунктах их приема.
Вы можете выбрать интересующие вас приборы и заказать, используя информацию, представленную ниже.
Таким образом, советские транзисторы являются не только раритетными изделиями, но и неоценимы в процессе ремонта аналогичной радиоаппаратуры. Полупроводниковые изделия СССР и по сей день еще используются в сферах радиоэлектроники, начиная от простых радиоприемников и заканчивая мощными компьютерами.
Cм. также